三星于 2015 年在 Galaxy S6 上推出了首款超高速 UFS 2.0 存储模块。如今,它们几乎出现在所有高端车型上。到明年,就轮到 UFS 2.1 登场了。这是一个速度更快的新标准,但最重要的是它可以支持高达 512 GB 的内部存储!
慧荣科技 (Silicon Motion Technology) 刚刚宣布推出基于 UFS 2.1 标准的新型内存模块,至少我们可以说的是,自 2015 年应用于三星 Galaxy S6 以来,该技术已经走出了一条道路。尽管UFS 2.0 已经比 eMMC 5.1 快 2.7 倍在提供 19,000 IOPS(每秒输入/输出操作)读取和 14,000 写入的同时,新标准将更快。
借助 UFS 2.1,内存模块的速度将比 eMMC 5.1 快三倍,并提供 50,000 次读取和 40,000 次写入 IOPS。但最重要的是,期望有更大的存储容量。虽然三星去年推出了首款 256 GB UFS 2.0 模块,但慧荣科技开发的 UFS 2.1 模块将能够达到 512 GB!您甚至不再需要微型 SD 卡!
正如慧荣科技在新闻稿中所指出的,这些新型内存模块将用于高端移动设备,而且锦上添花的是,它们将提供更低的能耗。
IHS Markit NAND闪存技术研究总监Walter Coon预测,未来五年内,UFS将完全取代eMMC。新的 UFS 2.1 模块目前以样品形式提供给制造商。它们将于今年晚些时候进入量产,正好集成到 2018 年智能手机中!
https://jjgvkw.com/tech/maxie/pourquoi-la-memoire-interne-sera-toujours-meilleure-que-les-cartes-sd.html
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