三星已开始生产首款 UFS 3.1 芯片，该芯片将成为其未来旗舰产品（即 Galaxy Note 20）存储内存的核心。新标准使得写入速度比 UFS 快三倍成为可能3.0。目前仅生产 512 GB 版本。
距离半导体标准机构 JDEC 正式制定 UFS 3.1 标准不到两个月，首批 512 GB eUFS 3.1 芯片（用于通用板载闪存）已在三星投入生产。提供三倍的写入速度UFS 3.0芯片三星的 eUFS 3.1 容量为 512 GB，达到了智能手机存储 1.2 GB/s 的性能阈值。这些芯片将于今年为三星的下一代旗舰产品做好准备，在本例中是银河 Note 20。
«随着我们最快的移动存储的推出，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡所面临的瓶颈”，三星电子存储芯片营销主管 Cheol Choi 解释道。 “eUFS 3.1 体现了我们对支持今年全球智能手机制造商快速增长的需求的持续承诺”他补充道。
eUFS 3.1：三星保证 1.5 分钟即可传输 100 GB 文件
这比最新高端智能手机核心的 UFS 3.0 标准的传输时间长三倍Galaxy S20、S20+ 和 S20 Ultra甚至OnePlus 7 和 7T Pro。在随机性能方面，512GB eUFS 3.1 处理数据的速度比当前标准快 60%允许每秒 100,000 次输入/输出操作 (IOPS) 读取和 70,000 IOPS 写入。
除了 512GB 选项外，三星还将在今年晚些时候开始生产 256GB 和 128GB 芯片。这足以揭开面纱Galaxy Note 20 的特点如果一切顺利，预计将于 2020 年 8 月或 9 月推出。
来源 ：三星
