高通刚刚在其 2017 年新款处理器 Snapdragon 835 的同时发布了 Quick Charge 4.0。在该计划中，我们的智能手机充电速度更快，只需充电 5 分钟即可获得 5 小时的电池续航时间。在缺乏可持续一周的电池的情况下，用户对快速充电的需求比以往任何时候都高。
因此，它不是带有新的快速充电功能的 Snapdragon 830，而是直接受益于 Quick Charge 4.0 的 Snapdragon 835。新版本允许充电速度提高 20%，能源效率提高 30%与 Quick Charge 3.0 相比，这尤其要归功于双充电技术的改进，而且还得益于 USB 供电标准和 USB Type-C。
我们的性能提升还归功于高通开发的能源管理算法 3.0 版 INOV（智能协商最佳电压）。其目的是实时管理温度，以便根据该热数据最好地评估能量传输。具体来说，配备新 Snapdragon SoC 的手机将能够在短短 15 分钟内充电 50%。
高通还非常重视安全性，这对于避免充电时发生不幸事故至关重要。因此，在整个充电过程中，通过测量电流强度、电压和温度，在适配器和智能手机层面控制充电过程。
由于电压为 5/9/12V 至 3A，功率从 18W 到 36W 不等，具体取决于智能手机。如果与上一代相比，Quick Charge 4.0 的性能提升没有预期的那么显着，那么高通正在缓慢但坚定地发展其技术，同时不会影响可靠性。我们现在期待能够在真实条件下测试所有这些。
