三星於 2015 年在 Galaxy S6 上推出了首款超高速 UFS 2.0 儲存模組。如今，它們幾乎出現在所有高階車型上。到明年，就輪到 UFS 2.1 登場了。這是一個速度更快的新標準，但最重要的是它可以支援高達 512 GB 的內部儲存！
慧榮科技 (Silicon Motion Technology) 剛剛宣布推出基於 UFS 2.1 標準的新型記憶體模組，至少我們可以說的是，自 2015 年應用於三星 Galaxy S6 以來，該技術已經走出了一條道路。儘管UFS 2.0 已經比 eMMC 5.1 快 2.7 倍在提供 19,000 IOPS（每秒輸入/輸出操作）讀取和 14,000 寫入的同時，新標準將更快。
借助 UFS 2.1，記憶體模組的速度將比 eMMC 5.1 快三倍，並提供 50,000 次讀取和 40,000 次寫入 IOPS。但最重要的是，期望有更大的儲存容量。雖然三星去年推出了首款 256 GB UFS 2.0 模組，但慧榮科技開發的 UFS 2.1 模組將能夠達到 512 GB！您甚至不再需要微型 SD 卡！
正如慧榮科技在新聞稿中所指出的，這些新型記憶體模組將用於高階行動設備，而且錦上添花的是，它們將提供更低的能耗。
IHS Markit NAND快閃記憶體技術研究總監Walter Coon預測，未來五年內，UFS將完全取代eMMC。新的 UFS 2.1 模組目前以樣品形式提供給製造商。它們將於今年稍後進入量產，正好整合到 2018 年智慧型手機中！
https://jjgvkw.com/zh-TW/tech/maxie/pourquoi-la-memoire-interne-sera-toujours-meilleure-que-les-cartes-sd.html
