Galaxy Note 20：三星已經以三倍的速度生產 UFS 3.1 記憶體晶片

三星已開始生產首款 UFS 3.1 晶片，該晶片將成為其未來旗艦產品（即 Galaxy Note 20）儲存記憶體的核心。目前僅生產 512 GB 版本。

距離半導體標準機構 JDEC 正式製定 UFS 3.1 標準不到兩個月，首批 512 GB eUFS 3.1 晶片（用於通用板載快閃記憶體）已在三星投入生產。提供三倍的寫入速度UFS 3.0晶片三星的 eUFS 3.1 容量為 512 GB，達到了智慧型手機儲存 1.2 GB/s 的效能閾值。這些晶片將於今年為三星的下一代旗艦產品做好準備，在本例中是銀河 Note 20。

«隨著我們最快的行動儲存的推出，智慧型手機用戶將不再擔心傳統記憶卡所面臨的瓶頸”，三星電子記憶體晶片行銷主管 Cheol Choi 解釋。 “eUFS 3.1 體現了我們對支持今年全球智慧型手機製造商快速成長的需求的持續承諾」他補充道。

eUFS 3.1：三星保證 1.5 分鐘即可傳輸 100 GB 文件

這比最新高階智慧型手機核心的 UFS 3.0 標準的傳輸時間長三倍Galaxy S20、S20+ 和 S20 Ultra甚至OnePlus 7 和 7T Pro。在隨機性能方面，512GB eUFS 3.1 處理資料的速度比目前標準快 60%允許每秒 100,000 次輸入/輸出操作 (IOPS) 讀取和 70,000 IOPS 寫入。

除了 512GB 選項外，三星還將在今年稍後開始生產 256GB 和 128GB 晶片。這足以揭開面紗Galaxy Note 20 的特點如果一切順利，預計將於 2020 年 8 月或 9 月推出。