三星提前三個月宣布其全新 8 奈米處理器雕刻技術剛剛獲得認證。因此，用於未來 Galaxy S9 智慧型手機的新型 Exynos 處理器的生產將能夠開始。這種新晶片將提供更大的功率並消耗更少的能量，同時提供更小的表面積。
三星今天宣布其 8 奈米 FinFET LPP 雕刻技術已提前三個月獲得認證。因此，專為未來 Galaxy S9 設計的新型 Exynos 處理器的生產現在就可以開始了。相比以前的 Exynos 8895 處理器Galaxy S8、Galaxy S8+ 和 Galaxy Note 8 採用 10nm 工藝，這款新晶片的能耗將減少 10%，最重要的是，表面積將減少 10%。實力的提升顯然是存在的。
過去，三星在大規模生產 10nm FinFET 處理器時曾遇到困難。不過，該公司相信其 8nm 晶片不會有同樣的問題。有充分的理由，這種新的雕刻工藝是基於相同的技術相較於 10nm FinFET 架構，後者已經證明了。
Galaxy S9：效率提升 10%，表面積減少 10%
獲得的空間可用於將更多組件整合到 Galaxy S9 中。根據最新洩漏的信息，Galaxy S9 應該特別配備 3D 臉部辨識感應器模仿蘋果iPhone的Face ID臉部辨識技術這個空間還可以減少智慧型手機的尺寸，非常簡單。不過，與往常一樣，這款 Exynos 晶片應該為某些市場（包括法國）的 Galaxy S9 保留。
在其他市場，旗艦將配備高通未來處理器 Snapdragon 845。據傳，這款晶片將由台積電刻製7奈米。因此，它將變得更小、更有效率。 7奈米雕刻是三星的下一步。為了實現這種程度的小型化，這家韓國巨頭打算依靠革命性的極紫外光發射器。
