得益于 SK 海力士和美光科技的进步，明年我们计算机中的 SSD 和智能手机中的内存将变得更加高效。而且，由于生产率的提高，价格不一定会上涨。
半导体行业巨头SK海力士宣布开发出全新4D NAND闪存技术，238张沙发。这家韩国公司在 2020 年底达到 176 层后达到了一个新的里程碑。它以微弱优势超越了竞争对手美光，美光刚刚推出了首款 232 层 NAND 内存组件，比 SK 海力士少了 6 个。
制造商传达的流量为数据传输速度提高 50%与当前一代相比，最高可达 2.4 Gbps。据 SK Hynix 称，这款 238 层 4D NAND 闪存还承诺更好的能效，读取时能效约为 21%。
面向大众的238层4D NAND闪存
由于电池表面更小，它还可以使生产率提高 34%，从而可以在同一晶圆上生产更多芯片，硅晶圆是许多半导体的基础。换句话说，SK 海力士应该能够更快地生产，并使用更少的原材料，这可能会导致价格下降组件配备该公司的存储芯片。
238层4D NAND闪存芯片计划于2023年上半年量产。最初，SK海力士将主要供应PC消费类SSD。智能手机将紧随其后，然后是服务器 SSD。目前，该公司专注于生产内存模块512GB容量，但已经宣布计划推出提供 1 TB 存储空间的此类芯片。
令人欣慰的是，闪存领域的进展仍然非常迅速，这对于我们的计算机、智能手机、平板电脑和许多其他电子设备至关重要。这一进步还将有助于使高性能内存解决方案变得更加经济实惠。
