Galaxy S21 FE：新的基准测试证实了 Snapdragon 888 SoC

Galaxy S21 FE（粉丝版）出现在 Geekbench 的新基准测试中。该清单揭示了三星平价智能手机的部分技术资料，包括高通 Snapdragon 888 SoC 的存在。我们还发现了手机中集成的 RAM 量。

在过去的几周里，Galaxy S21 FE（粉丝版）已多次出现在网络上。三星经济实惠的智能手机采用了以下视觉元素：Galaxy S21、S21+ 和 S21 Ultra，就像延伸到边缘的突出照片块一样。三星秉承自 S10 以来的习惯，将前置照片传感器滑入屏幕上的孔中。

在技​​术方面，首尔巨头应该重点关注强大的 Snapdragon 888 SoC是高通最新的高端芯片组，取代了自己的 Exynos SoC。该 SoC 采用 5 纳米工艺，已为美国 Galaxy S21 版本提供支持。另一方面，欧洲市场上销售的机型搭载的是Exynos 2100。

三星跳过 Exynos 2100 SoC，将一切押在高通身上

几周前，基准测试已经确认 S21 FE 中存在 Snapdragon 888 SoC。最近，Geekbench 数据库中出现了第二个基准测试，确认了高通芯片组和计划中缺少 Exynos 2100。事实上，列表中出现的代号（指的是 S21 FE）仍然提到了高通芯片。正如预期，三星不会发布搭载 Exynos 的 4G 版本新手机。

此外，基准测试还表明8 GB RAM 的存在。与去年一样，制造商应该还会销售 6 GB RAM 的版本，价格稍微便宜一些。在 Geekbench 上，S21 FE 单核可达 592，多核可达 2610。这些显然是初步结果，因为软件优化尚未完成。最终的分数显然会更高。

最后，我们会记得三星最近意外确认了 S21 FE 的存在在其官方网站上。据最新消息称，这家韩国制造商将尽快发布这款手机2021 年 8 月 19 日在在线 Unpacked 会议期间。我们将更快地向您介绍 S21 Fan Edition。