Galaxy S9：三星开始生产 8 纳米 Exynos 处理器

三星提前三个月宣布其全新 8 纳米处理器雕刻技术刚刚获得认证。因此，用于未来 Galaxy S9 智能手机的新型 Exynos 处理器的生产将能够开始。这种新芯片将提供更大的功率并消耗更少的能量，同时提供更小的表面积。

三星今天宣布其 8 纳米 FinFET LPP 雕刻技术已提前三个月获得认证。因此，专为未来 Galaxy S9 设计的新型 Exynos 处理器的生产现在就可以开始了。相比以前的 Exynos 8895 处理器Galaxy S8、Galaxy S8+ 和 Galaxy Note 8 采用 10nm 工艺，这款新芯片的能耗将减少 10%，最重要的是，表面积将减少 10%。实力的提升显然是存在的。

过去，三星在大规模生产 10nm FinFET 处理器时曾遇到困难。不过，该公司相信其 8nm 芯片不会遇到同样的问题。有充分的理由，这种新的雕刻工艺是基于相同的技术相比 10nm FinFET 架构，后者已经得到了证明。

Galaxy S9：效率提高 10%，表面积减少 10%

获得的空间可用于将更多组件集成到 Galaxy S9 中。根据最新泄露的信息，Galaxy S9 应该特别配备 3D 面部识别传感器模仿苹果iPhone的Face ID面部识别技术这个空间还可以减少智能手机的尺寸，非常简单。不过，与往常一样，这款 Exynos 芯片应该为某些市场（包括法国）的 Galaxy S9 保留。

在其他市场，旗舰将配备高通未来处理器 Snapdragon 845。据传，这款芯片将由台积电刻制7纳米。因此，它将变得更小、更高效。 7纳米雕刻是三星的下一步。为了实现这种程度的小型化，这家韩国巨头打算依靠革命性的极紫外光发射器。