三星电子正式宣布已启动3纳米芯片量产，成为全球首家实现3纳米芯片量产的公司。从而将其主要竞争对手台积电从其脚下夺走。
三星代工厂终于宣布启动第一代3nm节点芯片量产。它们基于全新 GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，这是继著名的 FinFET 之后的下一步。 Gate-All-Around 允许创始人减小晶体管的尺寸，而不损害其承载电流的能力。台积电则在开始发货时将永久放弃 FinFET，转而采用 GAA2026年2nm芯片。
三星声称，新的制造工艺在功耗方面比之前的 5nm 工艺提高了 45%，效率提高了 23%，表面积缩小了 16%。未来，三星希望其第二代3nm工艺能够功耗和尺寸分别降低 50% 和 35%，性能提高 30%。
第一个 3 nm 刻制芯片是什么？
三星表示，这一新工艺将用于“高性能、低功耗计算”，移动处理器稍后推出。在智能手机市场，我们想象第一个提供如此精细雕刻的芯片将是 Snapdragon 8 Gen 2高通将于明年 11 月推出，并将在 2023 年装备大多数高端设备。我们知道台积电应该开始为 2023 款 MacBook 生产下一代 Apple M3 芯片，采用 3nm 工艺，在她之前后来被iPhone 15的A17芯片采用。
3nm芯片的上市证明三星打算继续与其历史对手台积电竞争。上个月，三星宣布计划未来五年花费3550亿美元其所谓的战略业务，其中包括半导体。
来源 ：三星
