高通剛剛在其 2017 年新款處理器 Snapdragon 835 的同時發布了 Quick Charge 4.0。在缺乏可持續一周的電池的情況下，用戶對快速充電的需求比以往任何時候都更高。
因此，它不是帶有新的快速充電功能的 Snapdragon 830，而是直接受益於 Quick Charge 4.0 的 Snapdragon 835。新版本允許充電速度提高 20%，能源效率提高 30%與 Quick Charge 3.0 相比，這尤其要歸功於雙充電技術的改進，而且還得益於 USB 供電標準和 USB Type-C。
我們的效能提升也歸功於高通開發的能源管理演算法 3.0 版 INOV（智慧協商最佳電壓）。其目的是即時管理溫度，以便根據該熱數據最好地評估能量傳輸。具體來說，配備新款 Snapdragon SoC 的手機將能夠在短短 15 分鐘內充電 50%。
高通也非常重視安全性，這對於避免充電時發生不幸事故至關重要。因此，在整個充電過程中，透過測量電流強度、電壓和溫度，在適配器和智慧型手機層面控制充電過程。
由於電壓為 5/9/12V 至 3A，功率從 18W 到 36W 不等，具體取決於智慧型手機。如果與上一代相比，Quick Charge 4.0 的效能提升沒有預期的那麼顯著，那麼高通正在緩慢但堅定地發展其技術，同時不會影響可靠性。我們現在期待能夠在真實條件下測試所有這些。
