三星電子正式宣布已啟動3奈米晶片量產，成為全球首家實現3奈米晶片量產的公司。從而將其主要競爭對手台積電從其腳下奪走。
三星代工廠終於宣布啟動第一代3nm節點晶片量產。它們是基於全新 GAA（Gate-All-Around）晶體管架構，這是繼著名的 FinFET 之後的下一步。 Gate-All-Around 使創始人能夠縮小晶體管的尺寸，而不會損害其承載電流的能力。台積電則在開始出貨時將永久放棄 FinFET，轉而採用 GAA2026年2nm晶片。
三星聲稱，新的製造流程在功耗方面比之前的 5nm 製程提高了 45%，效率提高了 23%，表面積縮小了 16%。未來，三星希望其第二代3nm製程能夠功耗和尺寸分別降低 50% 和 35%，效能提高 30%。
第一個 3 nm 刻製晶片是什麼？
三星表示，這項新工藝將用於“高效能、低功耗運算”，行動處理器稍後推出。在智慧型手機市場，我們想像第一個提供如此精細雕刻的晶片將是 Snapdragon 8 Gen 2高通將於明年 11 月推出，並將在 2023 年裝備大多數高階設備。台積電應該開始為 2023 款 MacBook 生產下一代 Apple M3 晶片，採用 3nm 工藝，在她之前後來被iPhone 15的A17晶片採用。
3nm晶片的上市證明三星打算繼續與其歷史對手台積電競爭。上個月，三星宣布計劃未來五年花費3550億美元其所謂的策略業務，其中包括半導體。
來源 ：三星
