三星刚刚推出了首款 3 纳米 GAA 芯片。这对于制造商来说是一个真正的壮举，从而领先于其竞争对手台积电。这项技术既涉及商业领域，也涉及公众，因为 3nm SoC 可以装备高端智能手机。
三星推出首款芯片刻蚀深度为 3 nm。该产品是在首尔南部华城举行的新闻发布会上发布的，韩国商务部部长和该品牌首席执行官也在场。这是一次大张旗鼓的活动，因为这是制造商向前迈出的重要一步。
因此，三星代工展示了其采用 3 nm 工艺雕刻的芯片la technologie GAA（四周门）。与经典 FinFET 相比，后者可实现更大的功率和更好的能源管理。
三星可以通过这款芯片彻底改变行业
这款新芯片是三星向前迈出的重要一步，这表明三星已与多家分支机构合作实现了这一成果。它将致力于专业用途，例如数据中心的设计，但是也应该供普通大众使用。中期来看，高端智能手机采用 3nm 芯片并不奇怪。需要注意的是，3nm刻蚀在三星已经存在好几年了，但直到今天才可以启动芯片的量产。
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冷落三星在这一领域的竞争对手，台积电创始人。后者计划在 2022 年最后一个季度推出自己的 3nm 处理器。延迟几个月可能会带来高昂代价。事实上，苹果、英伟达、AMD 和高通等许多客户都已经开始下订单。
对于用户来说，3 nm 刻制的芯片可能会改变很多事情。例如，在智能手机上，理论上它不仅会受益于更大的功率，而且还会受益于更长的电池寿命，因为芯片消耗的能量更少。作为比较，今天配备的 Exynos 2200游戏 Galaxy S22以 4 nm 进行雕刻。
来源 ：三星
