骁龙 845 最终不会采用 7nm FinFET 工艺。根据新泄露的信息，这种新的雕刻工艺尚未准备就绪，因此新的高通芯片将采用 10nm FinFET 进行雕刻，如 Snapdragon 835。这种程序的改变可能会给某些制造商带来问题，特别是三星的 Galaxy S9。
Snapdragon 845 是 Snapdragon 835 的后继产品，是高通的下一代移动处理器。三星的 Galaxy S9 和 Galaxy S9 Plus 将率先搭载 Snapdragon 845。随后，该芯片可能会配备大多数 2018 年的 Android 旗舰机，例如 2017 年的 Snapdragon 835。在配备该芯片的智能手机中，我们已经提到了LG G7、小米 7 甚至 Vivo XPlay 7。
此前，有传言称骁龙 845 将是台积电首款采用 7 纳米 FinFET 工艺的处理器，这将使其成为有史以来最小的移动芯片。然而今天，从 Fudzilla 网站泄露的新信息显示，这款处理器实际上将采用 10nm FinFET 工艺，就像 Snapdragon 835 一样。7nm 工艺在 2018 年下半年之前不会准备就绪，并且因此将适用于 Snapdragon 855。如果这一信息得到证实，可能会给三星的下一款旗舰产品带来重大问题。
Snapdragon 845：7nm FinFET 雕刻尚未准备好
十月初，三星宣布已开始为 Galaxy S9 生产新型 Exynos 处理器。不过这款新处理器将会采用8nm制程。表面积的减小可以将更多组件集成到 Galaxy S9 中，或者只是减小智能手机的尺寸。然而，与往年一样，Exynos 处理器很可能会在包括法国在内的某些市场上为 Galaxy S9 保留。在美国和中国，三星新旗舰将搭载骁龙845。
因此，三星将不得不调整其智能手机的设计以适应 Snapdragon 845。Galaxy S9 必须足够大才能容纳这款 10 纳米处理器。因此，除非我们创建两款不同的 Galaxy S9，这是不可能的。同样，除了尺寸问题之外，两个处理器的效率也存在非常不平等的风险。 Snapdragon 845 可能会比新的 Exynos 消耗更多电量。很难预测三星会选择做出什么样的妥协。
按照性能方面，骁龙 845 应该会带来显着的提升与 Snapdragon 835 相比。该芯片将采用新的 Kryo 内核，以及针对虚拟现实和增强现实进行优化的 Adreno GPU。我们还可以预期这款新处理器将嵌入专用于人工智能的神经处理单元，例如华为的麒麟970或苹果的A11 Bionic。不管怎样，骁龙 845 的正式发布肯定已经迫在眉睫了。请记住，Snapdragon 835 于 2016 年 11 月发布。
