三星鑄造廠幾週後，TSMC細節他打算如何在3 nm中雕刻SOC。在與投資者的電話會議中，該公司的首席執行官顯示已經與客戶討論了。並聲稱其製造過程將使其能夠加強其在競爭中的進步。特別是三星。
已經兩個月了我們知道三星鑄造廠打算如何在3 nm中雕刻SOC。一直需要等待，以了解他的大型TSMC競爭對手將如何回答：在上週技術發展後，台灣創始人提供了有關其製造過程3 nm EUV發展進步的信息。
TSMC提供了有關其3 nm雕刻過程的新信息
“在3 nm上，技術的發展進步良好，我們已經與第一客戶討論了技術的定義”TSMC首席執行官CC Wei在與投資者的電話會議上說。並添加：“我們希望我們的3 nm技術能夠進一步加強未來的領導地位”。
應當指出的是，這些聲明在與投資者會議的背景下很少發表。目前，TSMC尚未提供有關其技術的許多細節，而我們已經知道三星打算如何做：韓國集團的創始人將使用一個過程，該過程包括用MBCFET技術雕刻晶體管nanosheet-in，其中“晶體管的門”圍繞半導體納米- 芬斯。
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TSMC滿足於確認其過程是全新的，而不是其5NM雕刻過程的改進。適當的雕刻應放在基於深紫外線（DUV）和“ Extreme”（EUV）光的岩石攝影上。目前，該公司尚未為在3 nm中生產第一soc的生產範圍。
來源 ：TSMC
