驍龍 845 最終不會採用 7nm FinFET 製程。根據新洩漏的信息，這種新的雕刻工藝尚未準備就緒，因此新的高通晶片將採用10nm FinFET 進行雕刻，如Snapdragon 835。三星的Galaxy S9。
Snapdragon 845 是 Snapdragon 835 的後繼產品，是高通的下一代行動處理器。三星的 Galaxy S9 和 Galaxy S9 Plus 將率先搭載 Snapdragon 845。 LG G7、小米7 甚至Vivo XPlay 7。
此前，有傳言稱驍龍 845 將是台積電首款採用 7 奈米 FinFET 製程的處理器，這將使其成為有史以來最小的行動晶片。然而今天，從 Fudzilla 網站洩露的新資訊顯示，這款處理器實際上將採用 10nm FinFET 工藝，就像 Snapdragon 835 一樣。因此將適用於 Snapdragon 855。如果這項資訊得到證實，可能會為三星的下一款旗艦產品帶來重大問題。
Snapdragon 845：7nm FinFET 雕刻尚未準備好
十月初，三星宣布已開始為 Galaxy S9 生產新型 Exynos 處理器。不過這款新處理器將會採用8nm製程。表面積的減小可以將更多組件整合到 Galaxy S9 中，或者只是縮小智慧型手機的尺寸。然而，與往年一樣，Exynos 處理器很可能會在包括法國在內的某些市場上保留給 Galaxy S9 。在美國和中國，三星新旗艦將搭載驍龍845。
因此，三星將不得不調整其智慧型手機的設計以適應 Snapdragon 845。因此，除非我們創建兩款不同的 Galaxy S9，這是不可能的。同樣，除了尺寸問題之外，兩個處理器的效率也存在非常不平等的風險。 Snapdragon 845 可能會比新的 Exynos 消耗更多電力。很難預測三星會選擇做出什麼樣的妥協。
按照性能方面，驍龍 845 應該會帶來顯著的提升與 Snapdragon 835 相比。我們也可以預期這款新處理器將嵌入專用於人工智慧的神經處理單元，例如華為的麒麟970或蘋果的A11 Bionic。不管怎樣，驍龍 845 的正式發布肯定已經迫在眉睫了。請記住，Snapdragon 835 於 2016 年 11 月發布。
